واهلش دی الکتریک نانو ساختار های سیلیکان متخلخل

برای ساخت سیلیکان متخلخل از ویفر سیلیکان نوع p با مقاومت -cm? 10-1 و با جهت بلوری (100) استفاده شده است. تخلخل بوسیله فرآیند الکتروشیمیایی، در محلول حاوی اسید hf و اتانول و با نسبت حجمی (1:1) صورت گرفته است. در طول زمان آندیزاسیون تمامی عوامل موثر بر میزان تخلخل مانند جنس سیلیکان زیر لایه، نوع محلول، شرایط محیط ( روشنایی، دمای محیط، میزان رطوبت) و چگالی جریان ثابت نگاه داشته شده و تنها با تغبیر زمان آندیزاسیون، نمونه هایی با درصد تخلخل های مختلف بدست آوردیم. نتایج نشان می دهد که با افزایش زمان آندیزاسیون میزان تخلخل نمونه ها افزایش می یابد. به منظور بررسی خصوصیات دی الکتریکی نمونه ها از مدار های معادل، شامل خازن و مقاومت موازی استفاده کرده و با اندازه گیری امپدانس نمونه ها بر حسب فرکانس، تغییرات ظرفیت، ثابت دی الکتریک، ضریب شکست ، مقاومت و زمان واهلش نمونه ها در دمای محیط و دماهای بالاتر تا دمای 350 درجه سانتیگراد مورد مطالعه قرار گرفت. نتایج نشان می دهد تابع دی الکتریک و ظرفیت و مقاومت و ضریب شکست نمونه ها با افزایش فرکانس کاهش می یابد. افزایش دما سبب افزایش تابع دی الکتریک و در نتیجه ظرفیت نمونها و همچنین رسانندگی آنها میگردد و سبب کاهش زمان واهلش آنها می گردد. همچنین افزایش دما بر روی ساختار سیلیکان متخلخل اثر گذاشته و سبب ترکیب حفره ها میگردد.